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在半導(dǎo)體制造、光學(xué)薄膜研發(fā)及精密涂層檢測等領(lǐng)域，薄膜厚度與光學(xué)參數(shù)的精準(zhǔn)測量是保障產(chǎn)品質(zhì)量與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。Thetametrisis薄膜厚度測量儀（如FR-Scanner系列）憑借其高度集成的光學(xué)模塊設(shè)計，成為這一領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備——其光學(xué)...
在過去的幾十年中，生物技術(shù)設(shè)備的小型化極大地改善了臨床診斷，藥物研究和分析化學(xué)?，F(xiàn)代生物技術(shù)設(shè)備，例如用于診斷，細(xì)胞分析和藥物發(fā)現(xiàn)的生物醫(yī)學(xué)MEMS，通常是基于芯片的，并且依賴于微米級和納米級生物物質(zhì)的緊密相互作用。根據(jù)市場研究報告，越來越多的醫(yī)療保健應(yīng)用正在使用bioMEMS組件。受諸如即時點(diǎn)測試，臨床和獸醫(yī)診斷等應(yīng)用的推動，到2021年，已占生物MEMS市場總量的86％。NIL納米壓印光刻技術(shù)已從利基技術(shù)演變?yōu)閺?qiáng)大的大批量制造方法，該方法可通過將印跡或生物印跡到生物相容性...
掩模對準(zhǔn)光刻機(jī)系統(tǒng)，這是一個全新的、已經(jīng)被生產(chǎn)廠家驗(yàn)證過的新型光刻曝光機(jī)以及晶圓對晶圓（W2W）接合曝光和測試系統(tǒng)，可滿足用戶對更高光刻精度的需求。業(yè)內(nèi)向更小結(jié)構(gòu)和更密集封裝生產(chǎn)轉(zhuǎn)型的趨勢帶來了眾多的新挑戰(zhàn)，如對更高精度的要求，因?yàn)檫@將嚴(yán)重影響設(shè)備的偏差律，并最終影響生產(chǎn)效率和增加成本。掩模對準(zhǔn)光刻機(jī)系統(tǒng)可較大提高對準(zhǔn)精度-范圍從1微米至0.1微米-從而為生產(chǎn)廠家在先進(jìn)微電子、化和物半導(dǎo)體、硅基電功率、三維集成電路和納米等幾乎所有相關(guān)產(chǎn)業(yè)提供了解決方案。新一代掩模對準(zhǔn)光刻機(jī)系...
發(fā)光二極管照明是利用半導(dǎo)體的電致發(fā)光發(fā)展而來的固態(tài)照明技術(shù)。自1907年第一只發(fā)光二極管問世，到20世紀(jì)90年代，人們對LED的研究進(jìn)展緩慢，期間使用GaAs和InP等第二代半導(dǎo)體材料為光源的LED僅應(yīng)用在光電探測及顯示領(lǐng)域。直到20世紀(jì)90年代中期，日本的中村修二發(fā)明了第一只超高亮度的GaN基LED，照明領(lǐng)域的大門才向LED打開。GaN作為繼第一代半導(dǎo)體材料Si，Ge和第二代半導(dǎo)體材料GaAs，InP等之后的第三代半導(dǎo)體材料，因其出色的光電性能獲得了關(guān)注和研究熱度。GaN是...
晶圓鍵合自動系統(tǒng)能接受4個以上的鍵合腔體，可配置整個的晶圓鍵合過程，包括陽極鍵合、熱壓鍵合、低溫等離子體鍵合以及尺寸達(dá)300毫米的晶圓鍵合。自動晶圓黏著鍵合技術(shù)確保堆疊式設(shè)備實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)。晶圓鍵合自動系統(tǒng)是一種重要的加工技術(shù)，它使用一個中間層（典型的聚合體）來粘接兩個基層，被廣泛地運(yùn)用在先進(jìn)封裝中。該方法的主要優(yōu)勢在于實(shí)現(xiàn)低溫加工、使材料表面平整化和提高晶圓形貌的耐久性。在CMOS圖像傳感器的應(yīng)用方面，晶圓黏著鍵合技術(shù)會在圖像傳感器材料表面和晶圓的玻璃蓋片之間設(shè)置一層保護(hù)屏障。在...
近半個世紀(jì)以來，硅一直是世界科技繁榮的重點(diǎn)，芯片制造商幾乎都在壓榨它的生命。傳統(tǒng)上用于制造芯片的技術(shù)在2005年左右達(dá)到了極限。那時，芯片制造商將不得不尋求其它技術(shù)，將更多的晶體管塞到硅板上，而光刻機(jī)的出現(xiàn)很好幫助了芯片制造商解決這一煩惱，從而制造出更強(qiáng)大的芯片。下面就來詳細(xì)了解一下！光刻機(jī)必須把工程師繪制的電路板精確無誤的投到硅晶圓上，不允許有絲毫誤差，可見難度之高！將晶體管封裝到芯片上的傳統(tǒng)工藝被稱為“深紫外光刻”（DUV），這是一種類似攝影技術(shù)的技術(shù)，通過透鏡聚焦光線，...